儀器詳細資訊

服務項目：

1.  EUV反射率量測
2.  EUV穿透率量測
3.  EUV折射率（n 和 k）量測

申請服務辦法：

一般服務：透過「晶片驅動－全台半導體資源共享平台」預約量測。

特殊服務：請備妥詳細樣品資訊，並與儀器管理員洽談確認。

樣品準備須知：

1. 可測試的樣品形式包括光罩(mask)、保護膜(pellicles)、薄膜(thin films)、晶圓(wafers)以及光學元件(optics)。
2. 樣品尺寸須小於 15 × 15 × 7 mm，量測時需使用導電銅雙面膠帶固定於直徑1英吋之載台上。試片最佳建議尺寸：直徑1英吋、厚度0.25英吋。
3. 量測波段以中心波長13.5 nm為主，若需使用其他波段，請與儀器管理員洽詢。
4. 若樣品在真空環境或EUV光照下可能分解或釋放氣體，本單位為避免污染精密光學元件與腔體，保有拒絕受理之權利。

儀器開放時間：設備建置中，預計於 2026 年 3 月正式開放。

預期回件時間：約2至3星期。

基本參考資料：建置中。